Конференция Innovation состоит не только из ключевых докладов и технических сессий, но и из большой демонстрационной зоны, где представлены новые технологии. Производители памяти концентрируют свое внимание на таких перспективных технологиях, как CXL, а также MCR. MCR расшифровывается как Multiplexer Combined Ranks. Компании Intel, Renesas и SK hynix разработали технологию MCR и хотят предложить ее со второй половины 2024 года вместе с готовящейся платформой Intel Birch Stream. Intel уже продемонстрировала работу MCR с Granite Rapids в четырехканальной конфигурации со скоростью 6.400 MT/s, а позднее и значительно быстрее – 8.800 MT/s. Принцип работы модулей MCR DIMM сравнительно прост. Память DRAM работает на половине частоты, в данном случае на 4.400 МГц. На выставке Innovation 2023 была представлена 12-канальная конфигурация MCR-DDR5 на базе Granite Rapids. Поскольку Granite Rapids и Sierra Forest используют единую платформу, то закономерно возникает вопрос, будет ли Sierra Forest на E-ядрах также поддерживать более быстрый тип памяти. Кроме того, стратегии P- и E-ядер во многом схожи, поэтому и контроллеры памяти в чипах должны быть идентичными. Вероятно, решение будет зависеть от того, имеет ли смысл сочетать Sierra Forest с двенадцатью каналами памяти с высокой скоростью передачи данных. Ядра E-core Xeon рассчитаны на максимально возможную эффективность, хотя процессоры EPYC Bergamo от AMD также поддерживают двенадцать каналов памяти. На других демонстрационных стендах модули MCR-DIMM тоже были представлены только с Granite Rapids. Классическая память DDR5, вероятно, будет начинаться в следующем году с 6.400 MT/s для шестого поколения Xeon. К недостаткам модулей MCR DIMM можно отнести дополнительную задержку порядка 2-3 нс и несколько большее тепловыделение планок. На конференции Flash Memory Summit компания Intel сравнила модули RDIMM со скоростью 4.400 MT/s и MCR DIMM со скоростью 8.800 MT/s.Hardwareluxx Russia