Новости электронных компонентов

После окончания выпуска индустриальной версии RV1126K компания Rockchip Electronics Co., Ltd. ("Rockchip") наконец представила его логическое продолжение, RV1126BJ. RV1126BJ – это высокопроизводительный SoC для машинного зрения в промышленной сфере, связанной с искусственным интеллектом. Чип основан на четырехъядерном 64-битном ядре ARM Cortex-A53, включающем NEON и FPU. Каждое ядро имеет 32 кБ I-кэша и 32 кБ D-кэша, а также 512 кБ унифицированного кэша L2. Встроенный NPU поддерживает гибридную работу INT8/INT16 и вычислительную мощность до 3,0 TOPs...

AMG Power анонсировал начало серийного производства линейки высоковольтных диодов Шоттки на основе карбида кремния (SiC SBD) – передовых полупроводниковых приборов, разработанных для применения в современных силовых электронных системах. Диоды представлены в нескольких типоразмерах корпусов – TO-220C-2L, TO-247-2, TO-247-3, TO-252 и TO-263-2 и охватывают широкий диапазон напряжений: 650, 1200 и 1700 В. Благодаря использованию технологий Gen 4 SiC, новые диоды обеспечивают низкое прямое падение напряжения...

FIBERT представил линейку лавинных кремниевых фотодиодов (Si APD), предназначенных для высокоскоростного и высокочувствительного обнаружения оптического излучения в диапазоне 400-1100 нм. Благодаря лавинному умножению и малому уровню собственных шумов устройства обеспечивают уверенное детектирование слабых сигналов даже в сложных условиях эксплуатации. Si APD – это фотоприёмные устройства, в которых при подаче высокого обратного напряжения формируется область лавинного умножения...

OUPIIN разработал компактные разъемы PwrFULL™ серии 9311, которые поддерживают передачу тока до 100 А на контакт. Их соединение может осуществлять под углом до 2°. Они ориентированы для работы в ЦОД, телекоммуникационных устройствах и промышленном оборудовании...

AMG Power официально объявила о снятии с производства ряда дискретных силовых транзисторов на напряжение 900 В. В список прекращаемых поставок вошли следующие позиции: A2G30N900MT3, A2G30N900MT4, A2G60N900MT3, A2G60N900MT4, A2G100N900MT3 и A2G100N900MT4. Все указанные компоненты SiC MOSFET выпускались в корпусах TO-247-3/TO-247-4 и применялись в промышленных источниках питания, системах возобновляемой энергетики и силовых преобразователях средней мощности. Прекращение выпуска 900 В SiC MOSFET от AMG POWER Размещение заказов на данные позиции доступно до 31 декабря 2025 года...