Особенности сборки памяти HBM делают её производство значительно более сложным, нежели в случае с традиционными модулями DRAM. Чипы HBM основаны на модулях DRAM, которые располагаются слоями. Они соединяются при помощи сквозных кремниевых переходов (TSV), которые одновременно связывают стек с базовым кристаллом для обмена данными с компьютерной системой. При производстве памяти HBM4 ведущие производители применяют технологию гибридного соединения. Здесь убраны контактные выступы над каждым слоем DRAM и вместо них применяется специальный заполняющий материал...