Компания, которую в Китае называют первой отечественной MRAM-компанией магнитных вычислений, представила два архитектурных уровня для инференса - uHBM и uLPU. Ханьсюй предлагает держать веса целевой модели постоянно в массиве в массиве энергонезависимой MRAM - матрично-векторные операции выполняются на том же кристалле, а наружу идут только векторы активаций, которые заметно меньше. Магниторезистивная память хранит бит не зарядом, как обычная память, а направлением намагниченности. В ней ячейка - это магнитный туннельный переход: два ферромагнитных слоя, разделённые тончайшим изолятором...