начительно варьироваться от одного поставщика к другому. Для проверки стабильности порогового напряжения (Vth) SiC MOSFET обычно применяют положительное (p-HTGB) и отрицательное (n-HTGB) в ы со коте м п ер ат у р н о е с м е ще ни е затвора к статистически значимому количеству устройств, а затем сравнивают значения Vth этой выборки до и после. Например, испытания pи n-HTGB были выполнены на наборах из 64 1200-В SiC MOSFET в течение 1000 ч. Среднее наблюдаемое изменение Vth составило 59,6 мВ после смещения p-HTGB и –22,8 мВ – после смещения n-HTGB. Такие уровни прогнозируемого напряжения...

Основное применение полупроводниковых материалов P- и N-типа — это диоды. На рис. 3-1 показано представление PN-переходного диода. Обратите внимание, что он содержит область P-типа со свободными дырками и область N-типа со свободными электронами. Структура диода непрерывна от одного конца до другого. Это один цельный кристалл кремния. Другие типы, называемые барьерными диодами, рассматриваются далее в этой главе. Переход, показанный на рис. 3-1, — это граница или разделительная линия, которая отмечает конец одной области и начало другой...