3 года назад
Из-за ее наличия во внутреннем диоде (body diode) SiC MOSFET увеличивается не только сопротивление
начительно варьироваться от одного поставщика к другому. Для проверки стабильности порогового напряжения (Vth) SiC MOSFET обычно применяют положительное (p-HTGB) и отрицательное (n-HTGB) в ы со коте м п ер ат у р н о е с м е ще ни е затвора к статистически значимому количеству устройств, а затем сравнивают значения Vth этой выборки до и после. Например, испытания pи n-HTGB были выполнены на наборах из 64 1200-В SiC MOSFET в течение 1000 ч. Среднее наблюдаемое изменение Vth составило 59,6 мВ после смещения p-HTGB и –22,8 мВ – после смещения n-HTGB. Такие уровни прогнозируемого напряжения...
SBR диоды Шотки с тонкой базой. Что это такое и как работает.
Диоды Шоттки гораздо проще чем полупроводниковые кремниевые или германиевые устройства с односторонней проводимостью. Их простота позволяет получать аналогичные свойства у самодельных выпрямителей и детекторов даже дома на кухне. Старинные меднозакисные выпрямители по типу аналогичны диодам Шоттки. Для многих, даже грамотных радиоспециалистов, заявление о том, что Диоды Шоттки имеют Базу кажется верхом глупости, но .... Традиционные Анод и Катод типовых выпрямительных диодов "нервно курят в сторонке"...