Силовой транзистор IGBT управляется с помощью напряжения, подаваемого на управляемый электрод - «затвор», который изолирован от силовой цепи. Полное название прибора: биполярный транзистор с изолированным затвором...
IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), биполярный транзистор с изолированным затвором, представляет собой составное полностью управляемое силовое полупроводниковое устройство, состоящее из BJT (биполярный транзистор) и MOS (полевой транзистор с изолированным затвором), а также имеет MOSFET. Преимущества обоих высокий входной импеданс и низкое падение напряжения проводимости GTR.
Напряжение насыщения GTR снижается, плотность переноса тока велика, но ток возбуждения велик; мощность...