Итак, IGBT (он же бтиз) это, уникальный прибор, в котором самым удачным образом соединены полевой и биполярный транзисторы. Давайте узнаем его получше...

IGBT транзисторы разработали для того, чтобы совместить высокую экономичность с быстродействием. Структура его состоит из 4-х чередующихся слоев (P–N-P–N), которые управляются полем затвора металл-оксид–полупроводник (MOS). Структура и свойства IGBT-транзисторов Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) переводится как биполярный транзистор с изолированным затвором. Сразу напрашивается вопрос: откуда у биполярного транзистора затвор, да ещё и изолированный? Для пояснения: IGBT – это полупроводниковый...