Создание современных процессоров начинается не с транзисторов или кремниевых пластин. Один из ключевых этапов — полировка поверхности будущего чипа. Малейшие неровности усложняют формирование слоёв микросхемы. Российские учёные предложили решение этой проблемы. Специалисты нижегородского университета имени Н. И. Лобачевского запатентовали метод глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния (SiO₂). Этот материал, похожий на кварцевый песок, играет важную роль в микроэлектронике, помогая полировать полупроводниковые пластины с высокой точностью...