Совсем недавно мы разбирали материал об МФТИ, где российские физики научились подключать металлический электрод к дисульфиду молибдена, не разрушая его атомарную структуру. Это была проблема контакта — как подвести провод к материалу толщиной 0,7 нм. Теперь TSMC совместно с Национальным университетом Ян Мин Чао Тун (NYCU) решила другую, не менее фундаментальную проблему — затвора: как нанести изолятор поверх канала транзистора из MoS₂, не уничтожив его электрические свойства. Два барьера на пути к транзисторам из двумерных материалов...

Есть одна странная особенность технологических новостей последних лет: чем меньше цифра в нанометрах, тем больше в тексте фантазии. «1 нм» звучит почти как финальный уровень — дальше уже некуда, физика упирается в стену, инженеры разводят руками. Но индустрия, как ни странно, живёт не законами школьной физики, а логикой маркетинга, инвестиций и… иногда чистого упрямства. История с «подготовкой к 1-нм техпроцессу» — как раз из этой серии. Не совсем выдумка. Но и далеко не факт. Если разложить по...