Важнейшей характеристикой полупроводниковых материалов является их ширина запрещенной зоны. Напомним, что это диапазон энергий, который отделяет валентные электроны от электронов проводимости в полупроводнике. Чтобы загнать электрон из валентной зоны в зону проводимости, надо сообщить ему энергию, которой хватило бы для того, чтобы пересечь эту реку Стикс, ну т.е. запрещенную зону. Получается, что если у какого-то полупроводника эта зона достаточно широкая (обычно от 3 эВ), то для такого полупроводника будет «естественным» работать в электрических устройствах с большими токами и напряжениями...

Ранее я писал статью про кристаллические решетки полупроводников, если вы пропустили ее, то можете перейти по этой ссылке. Сегодня мы с вами будем разбираться в одной из самых важных тем в физике полупроводников - зонная теория. Если вы хотите на хорошем уровне понимать принципы работы полупроводниковых устройств, то вам необходимо хорошо разобраться с этой темой. Итак, начнем. Рассмотрение начнем с некоторого упрощения: будем рассматривать одномерную решетку, то есть просто цепочку атомов кремния...