Память на спинтронике может выйти на скорости, которые для DRAM звучат как фантастика. Исследователи из Университета Токио показали магнитный элемент, который переключает состояние за 40 пикосекунд и при этом почти не греется. Идея простая по смыслу и сложная по физике: хранить бит не в заряде, как в DRAM, а в магнитном состоянии. Тогда память становится энергонезависимой. Данные сохраняются даже после отключения питания. Команда собрала устройство на антиферромагнетике manganese-tin (Mn3Sn). Это класс материалов, где магнитные моменты соседних атомов в основном компенсируют друг друга...