Китайские ученые сообщили о создании нового типа транзистора, который может стать важным шагом на пути к электронике следующего поколения. Исследователи из Института металлов Китайской академии наук совместно с рядом научных центров страны разработали первый в мире кремний-графен-германиевый барьерный транзистор с очень высокой частотой. Развитие мобильной связи, интернета вещей и высокоскоростных беспроводных сетей требует все более быстрых полупроводниковых компонентов. Одной из ключевых целей...