В России бурно развиваются технологии производства микросхем на нитриде галлия (GaN). Значение этого полупроводникового соединения, обладающего целым рядом выдающихся по сравнению с традиционным монокристаллическим кремнием (Si) характеристик, в наши дни неуклонно возрастает. GaN относится к полупроводникам с широкой запрещённой зоной (энергией, необходимой для перемещения электрона из валентной зоны в зону проводимости). Поскольку напряжение пробоя и термическая стабильность у GaN значительно выше, чем у кремния, это обеспечило большой спрос на GaN устройства в силовой электронике...