15 ФЕВРАЛЯ 1963 ГОДА ОСНОВАН ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК. Постановление Президиума Академии наук о создании нового академического института подписал советский ученый в области математики, механики, космической науки и техники, президент Академии наук Мстислав Келдыш. В Институте физики твердого тела РАН были созданы широкие возможности для проведения экспериментов в таких экстремальных условиях, как высокий вакуум, низкие температуры, высокие давления, сильные магнитные поля. Институт ведет исследования в области физики конденсированных сред, физического материаловедения и высоких технологий. #эпохаСССР История Империи

24 апреля исполняется 60 лет Институту физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук был создан 24 апреля 1964 г. на основе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР (постановление Президиума АН СССР № 49 от 24.04.64 г.). У истоков создания ИФП СО РАН стоял академик Анатолий Васильевич Ржанов. Он был бессменным директором с 1964 по 1990 год. В настоящее время Институт является исследовательским центром с широким фронтом деятельности в области современной физики полупроводников, физики конденсированного состояния, в развитии научных основ технологий полупроводниковой микро-, опто-, нано- и акустоэлектроники, информационных технологий и квантовой электроники. Основные научные направления: • актуальные направления физики конденсированных сред, в том числе физика полупроводников и диэлектриков, физика низкоразмерных систем; • элементная база микроэлектроники, наноэлектроники, квантовых компьютеров, в том числе физико-химические основы технологий микроэлектро- ники, наноэлектроники, оптоэлектроники, акустоэлектроники, микросенсорики; • актуальные проблемы оптики, лазерной физики, включая квантовую электронику. Календарь памятных дат СО РАН