Уже более 50-ти лет проводятся исследования дефектов кристаллической структуры полупроводников, однако, внимание к этой области сейчас снова актуально. Развитие систем наноструктурированных полупроводников позволяет работать в направлении уменьшения размеров систем без потери их качественных возможностей. Этот факт подразумевает повышение требований к качеству исходного материала. Все кристаллы можно классифицировать как идеальные и реальные. Идеальный кристалл является по своей сути математической моделью...

Металлическая связь в плотнейших упаковках (ГЕК, ГЦК) Из рассуждений о числе направленных связей (или псевдосвязей, т.к. между соседними атомами металла находится зона проводимости) равном девяти по числу внешних электронов атомного остова для плотнейших упаковок, вытекает, что по аналогии с решеткой ОЦК (восемь атомов-соседей в первой координационной сфере) у ГЕК и ГЦК решеток в первой координационной сфере, должно быть девять, а имеем 12 атомов. Но 9 атомов соседей,...