Степа Мельченкин

го тока (согласно MIL-STD-750). VBR, Vth и VF внутреннего диода не подвержены влиянию повторяющегося UIS, что свидетельствует об отличной устойчивости к лавинному пробою. НИЗКОИНДУКТИВНЫЕ ТЕПЛООТВОДЯщИЕ КОРПУСА Следующей инструментальной частью решений проблем SiC-устройств является оптимизированный теплоотводящий корпус. Эффективный многокристальный корпус должен позволить использовать преимущества SiC, а не подавлять их. При проектировании учитывается множество требований. Поскольку кристалл SiC MOSFET сравнительно мал, параллельно подключается много транзисторов, чтобы добиться низкого сопротивления открытого канала...

Н е о бхо д и м о т а к ж е п р о в е р я т ь устойчивость к лавинному пробою, которая оценивается методом разблокированного индуктивного переключения (unclamped inductive switching, UIS). На MOSFET подается импульс напряжения, когда он находится в закрытом состоянии, что заставляет весь ток лавинообразно течь на периферию кристалла, поскольку его канал не открыт. Это испытание отличается от теста на стойкость при коротком замыкании, когда MOSFET находится в открытом состоянии и ток более равномерно распределяется по всей активной области устройства. чтобы точно имитировать реальные...

начительно варьироваться от одного поставщика к другому. Для проверки стабильности порогового напряжения (Vth) SiC MOSFET обычно применяют положительное (p-HTGB) и отрицательное (n-HTGB) в ы со коте м п ер ат у р н о е с м е ще ни е затвора к статистически значимому количеству устройств, а затем сравнивают значения Vth этой выборки до и после. Например, испытания pи n-HTGB были выполнены на наборах из 64 1200-В SiC MOSFET в течение 1000 ч. Среднее наблюдаемое изменение Vth составило 59,6 мВ после смещения p-HTGB и –22,8 мВ – после смещения n-HTGB. Такие уровни прогнозируемого напряжения...

ВВЕДЕНИЕ После быстрого расширения ассортимента устройств на базе карбида кремния (SiC) перед отраслью встала задача упростить проектирование изделий конечными пользователями. Разработчикам систем питания требуются комплексные решения, которые не только помогают применять отдельные элементы в схемах, но и учитывают их взаимодействие. Другими словами, производители карбидокремниевых MOSFET должны не только обеспечить отличные характеристики и надежность устройств, но и помогать в решении задач разработчиков, предлагая рынку низкоиндуктивные корпуса, а также более сложные устройства – драйверы затвора для точной настройки параметров схем и дополнительной защиты...

олее линейная зависимость между COSS и VDS. Это значит, что в одной и той же цепи ключи CoolSiC можно использовать при меньшем значении внешнего резистора RG. Такая возможность бывает востребована в некоторых коммутационных топологиях, например в резонансных LLC DC/DC-преобразователях (см. рис. 5). Несмотря на многие преимущества технологии SiC, кремниевые ключи MOSFET нельзя просто заменить альтернативными SiC-устройствами, чтобы улучшить характеристики импульсных источников питания. Следует учитывать, что у внутреннего диода SiC MOSFET прямое напряжение примерно в четыре раза выше, чем у сопоставимого Si-устройства...