Микроэлектроника сегодня

Согласно свежему отчету SEMI Packaging Alliance, выручка мирового рынка электронного системного дизайна (Electronic System Design, ESD) в первом квартале 2025 года достигла 5,1 миллиарда долларов, что стало значительным увеличением по сравнению с аналогичным периодом прошлого года. Эксперты отрасли отмечают устойчивую тенденцию к росту, особенно в сегментах, связанных с упаковкой чипов (advanced packaging) и проектированием модульных решений (chiplet‑based systems). Что такое ESD и почему он важен?...

На крупнейшей международной выставке по силовой электронике — PCIM Europe 2025 в Нюрнберге — технология карбида кремния (SiC) заняла ключевое место. Эксперты и участники единодушны: широкозонные полупроводники больше не нишевая инновация, а стратегическая основа современной силовой электроники. Почему SiC важен сегодня SiC-компоненты находят широкое применение в условиях высоких температур, напряжений и плотности мощности. Их преимущества перед кремнием: ● Более высокая энергоэффективность ● Возможность...

Как сообщает обзор на сайте TS2 Space, компания TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company), мировой лидер по контрактному производству чипов, достигла 90% выхода годной продукции на 3-нанометровом (3 нм) техпроцессе, заметно опередив ближайшего конкурента — Samsung, чей показатель удерживается на уровне около 50%. Кроме того, TSMC официально начала подготовку к запуску массового производства 2 нм чипов, которое намечено на конец 2025 — начало 2026 года. Что означает «выход годной продукции»?...

Согласно свежему аналитическому докладу компании Deloitte, объем мирового рынка полупроводников в 2025 году достигнет 697 миллиардов долларов, что станет историческим максимумом для отрасли. Главными факторами роста, по мнению экспертов, станут искусственный интеллект (ИИ), развитие дата-центров, а также инвестиции в вычислительную инфраструктуру. При этом традиционные сегменты — персональные компьютеры и смартфоны — покажут более скромные результаты. Переориентация отрасли: от потребителя к инфраструктуре...

SEMI Foundation совместно с Национальным научным фондом (NSF) объявила о старте федеральной программы по формированию инфраструктуры подготовки специалистов для микроэлектронной промышленности. Инициатива осуществляется в рамках масштабного проекта NNME (National Network for Microelectronics Education), цель которого — устранение дефицита квалифицированных кадров в одной из наиболее стратегически важных отраслей американской экономики. Образовательные узлы нового поколения По условиям программы,...

Компания AB Electronics, специализирующаяся на контрактном производстве электронных плат, завершила переезд из Брукфилда в город Денбери (Коннектикут), сделав ставку на масштабное расширение. Это решение стало логичным продолжением стабильного роста, который компания демонстрирует с 2020 года — за это время объем выпускаемой продукции удвоился. Новый этап развития предполагает четырехкратное увеличение производственных мощностей в ближайшие пять лет. Новая площадка и её потенциал Для реализации этих...

Компания Renesas Electronics, один из мировых лидеров в области полупроводников и силовой электроники, объявила о выпуске нового семейства 650-вольтовых транзисторов на нитриде галлия (GaN-FET) под названием SuperGaN Gen IV Plus. Эти устройства ориентированы на применение в высокоплотных и энергоэффективных системах, включая центры обработки данных (ЦОД), сервера, зарядные станции для электромобилей и передовую силовую инфраструктуру. Новое поколение SuperGaN FET разрабатывалось с учётом требований...

Мировой производитель силовых и аналоговых полупроводников Nexperia и Технический университет Гамбурга (TU Hamburg) объявили о создании совместной кафедры по силовой электронике. Цель нового академического проекта — ускорение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ (НИОКР) в области широкозонных полупроводников (Wide Bandgap Semiconductors), таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN). Этот шаг отражает растущую потребность в новых энергоэффективных решениях для транспортной, промышленной и энергетической отраслей...

Тайваньская компания United Microelectronics Corporation (UMC), один из ведущих контрактных производителей полупроводников (foundry), продемонстрировала уверенный рост рыночной капитализации в 2025 году. С начала года акции компании прибавили 15,3%, несмотря на снижение квартальной прибыли, зафиксированное в начале текущего отчетного периода. Аналитики объясняют эту динамику оптимизмом инвесторов, связанного с восстановлением глобального спроса, стабильной операционной моделью компании и стратегическим подходом к ценовой политике...

Малайзия активно готовится занять стратегическую позицию в глобальной полупроводниковой цепочке поставок. В июле 2025 года Министерство международной торговли и промышленности страны (MITI) официально представит пакет новых стимулов и субсидий, направленных на расширение локального производства микросхем. Инициатива охватывает как привлечение иностранных инвестиций, так и поддержку отечественных производителей и научно-исследовательских центров. Этот шаг стал частью масштабной программы по трансформации...

На выставке PCIM Europe 2025 (Power Conversion and Intelligent Motion), проходившей в Нюрнберге, ключевые игроки рынка силовой электроники — Efficient Power Conversion (EPC), Infineon Technologies и Navitas Semiconductor — продемонстрировали стратегическое усиление своих продуктовых портфелей. Компании представили ряд инновационных решений на базе карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN), ориентированных на наиболее быстрорастущие сектора: электромобили (EV), дата-центры и промышленную автоматизацию...

Силовая электроника переживает этап стремительных преобразований. По оценкам аналитиков, в ближайшие десять лет глобальный рынок широкозонных силовых полупроводников (Wide Bandgap Semiconductors, WBG) — включая карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN) — ожидает значительный рост. Прогнозируется, что его объём увеличится с $1,67 млрд в 2024 году до $42 млрд к 2034 году, что соответствует среднегодовому темпу роста (CAGR) на уровне 9,7 %. Что такое SiC и GaN? Карбид кремния (SiC) и нитрид галлия...