13,4 тыс подписчиков
📀 Воронежский Научно-исследовательский институт электронной техники (НИИЭТ) разработал (и готовит к выпуску) два мощных СВЧ-транзистора на основе инновационного полупроводникового соединения, нитрида галлия (GaN): ТНГ131005-28 и ТНГ60005-28П. Первая модель исполнена в традиционном металло-керамическом корпусе (эффективно отводит тепло и устойчив к внешним воздействиям), вторая — в металлополимерном корпусе (проще и дешевле в производстве при сохранении требуемых характеристик).
📀 Новые транзисторы предназначены для применения в усилителях мощности радиоэлектронной аппаратуры: передатчиках, радиолокационных станциях, системах связи и радиоэлектронной борьбы. Востребованность GaN устройств в радиочастотных приложениях обусловлена высокой подвижностью электронов этого полупроводникового соединения: 2000 см2/В·с у нитрида галлия по сравнению 1500 см2/В·с у традиционного кремния.
📀 Раз электроны в GaN кристаллах способны двигаться бвстрее, чем в кристаллах кремния, то и частоты переключения GaN полупроводников выше. К тому же более широкая, чем у кремния, запрещённая зона (3,49 эВ у GaN по сравнению с 1,1 эВ у Si) обеспечивает таким полупроводникам более высокое напряжение пробоя и температурную стабильность. В результате эффективность работы радиочастотного оборудования, в том числе в условиях жестких температурных и эксплуатационных режимов, существенно повышается.
📀 Примечательно, что эти транзисторы разработал именно НИИЭТ, в советское время легендарное Центральное конструкторское бюро при Воронежском заводе полупроводниковых приборов (ВЗПП), основанное ещё в 1961 году. В наши дни НИИЭТ входит в состав группы компаний «Элемент», крупнейшего производственного объединения отечественной микроэлектроники (такое известное предприятие, как зеленоградский завод «Микрон» также входит в эту группу).
📀 В 60-е годы свою трудовую деятельность ЦКБ начало с разработки и освоения серийного выпуска диодов и транзисторов на основе германия и кремния. И вот теперь — нитрид галлия. Новые времена — новые задачи.
📷 На фото: новые GaN транзисторы. Изображение: пресс-центр gkelement.ru
1 минута
23 июля
204 читали