13,4 тыс подписчиков
📀 Создание чипов класса 1,4 нм без использования передовых фотолитографов? Лидер китайской микроэлектроники, Huawei, считает это возможным. Традиционному геометрическому масштабированию транзисторов Huawei предлагает альтернативу в виде глубокой оптимизации полупроводниковых устройств.
📀 Речь идёт о «логическом свертывании» для сокращения критического пути проводки (оптимизации сопротивления и паразитной емкости транзисторов и межсоединений), снижении задержки связи в системе и расширении параллелизма на системном уровне.
📀 Новый подход Huawei представил на недавно прошедешем Международном симпозиуме по схемам и системам (ISCAS). Ожидается, что уже в конце текущего года начнётся производство флагманских чипов («cистем на кристалле») Kirin, построенных по новой оптимизированной технологии.
📀 Примечательно, что уже давным-давно реальные размеры элементов транзисторов никакого отношения к декларируемым нанометрам не имеют (на практике они значительно больше). Так что если новая технология позволит создать чип, производительность которого будет сопоставима с производительностью чипов мировых лидеров, то и назвать его можно будет красиво, в том числе «1,4 нанометровый чип», не обращая особого внимания на реальные размеры.
📀 Почему китайцы так стараются? Из-за американских санкций. Huawei была первым гигантом китайской электроники, попавшей под их удар, ещё в первую каденцию Дональда Трампа. Приобрести ультрапередовые фотолитографы экстремального ультрафиолета (именно с их помощью производятся чипы по техпроцессам в единицы нанометров) у китайцев нет никакой возможности. Монопольный производитель такой техники, нидерландская ASML, им её никогда не продавала и продавать не собирается.
📀 Когда у китайцев появятся свои реально работающие машины такого класса, пока непонятно. Вот они и стараются найти обходные пути. Найдут ли они такой путь на этот раз, станет ясно в конце года.
Изображение: Matti Blume, CC BY-SA 4.0, commons.wikimedia.org
1 минута
16 июля
213 читали