22 подписчика
Kioxia выходит из 2D NAND
Вслед за остановкой тонких малогабаритных корпусов, Kioxia Electronics (Китай) подтвердила снятие с производства решений на базе планарной архитектуры и флеш-памяти третьего поколения с вертикальной укладкой. Крайний срок для финальных заказов — 30 сентября 2026 года, отгрузки завершатся 31 декабря 2028 года. Это означает окончательный выход Kioxia из рынка 2D NAND к 2029 году.
Основные вендоры консолидируют ресурсы вокруг ячеек тройного уровня, ячеек четверного уровня и оперативной памяти. Многоуровневые ячейки демонстрируют низкую удельную экономику из-за ограничений чистых помещений, что не соответствует стратегии масштабирования.
Samsung также сворачивает производство планарной памяти. Выпуск на 12-й линии в Хвасоне остановлен, мощности перепрофилируются под процессы обратной стороны пластин для оперативной памяти первого поколения с минимальной проектной нормой. Компания завершила переход на вертикальную трёхмерную память еще в 2013 году. Высвобождающиеся объемы будут компенсированы заводами в Сиане.
По данным TrendForce, в 2026 году мировые мощности многоуровневых ячеек сократятся на 41,7% год к году. Начиная с первого квартала 2025 наблюдается сжатие предложения и рост цен. Основной спрос исходит от промышленной автоматизации, автомобильной электроники, медицинского оборудования и сетевого оборудования, где критичны надежность и ресурс записи. Долгосрочный потенциал роста этих сегментов ограничен, и при активном внедрении усиленных ячеек тройного уровня цены на многоуровневые ячейки могут оказаться под давлением.
1 минута
3 дня назад