110 подписчиков
Ученые нашли путь к созданию сверхбыстрых магнитных устройств нового поколения
Ученые из Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН с коллегами из Научно-практического центра НАН Беларуси по материаловедению и Саратовского государственного университета им. Н. В. Чернышевского нашли способ быстрого переключения магнитных состояний антиферромагнетиков при комнатной температуре с помощью лазерных импульсов. Ранее такие методы работали только при сверхнизких температурах (до –269 °C), что делало их непригодными для практического применения.
Исследователи экспериментировали с боратом железа — материалом на основе железа, бора и кислорода. Воздействуя на него короткими лазерными импульсами, они зафиксировали резкое изменение направления магнитных моментов атомов. При этом материал проходит через особое «скрытое» состояние, существующее миллионные доли микросекунды, которое определяет скорость и полноту переключения. Это состояние можно контролировать и тем самым регулировать, насколько быстро произойдет переключение и насколько полно оно завершится. Такой подход открывает путь к созданию сверхбыстрых магнитных устройств нового поколения, например для хранения и обработки данных.
«Нам впервые удалось быстро переключить магнитное состояние антиферромагнетика лазером при температуре немного выше комнатной. Результаты показывают, что короткие лазерные импульсы способны изменять магнитное состояние быстрее и изящнее, чем магнитное поле или электрический ток. Их использование открывает путь к созданию энергоэффективных и скоростных компонентов памяти и логики», — рассказала младший научный сотрудник ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН Анна Кузикова.
Разработка позволит усовершенствовать жесткие диски и другие устройства магнитной памяти, сделав их более быстрыми и энергоэффективными.
Подробнее: stimul.online/...yat
Больше новостей об инновациях: innopraktika.ru/...233
1 минута
2 дня назад