110 подписчиков
В РФ создадут установку для преодоления технологического порога в электронике
Ученые Новосибирского госуниверситета (НГУ) совместно с Институтом физики полупроводников СО РАН планируют создать уникальную установку на базе синхротрона СКИФ. Проект предполагает разработку отечественного опытного рентгеновского литографа «Орел-7», который позволит преодолеть технологический предел в 28 нанометров. Предел в 28 нанометров - это обозначение технологического процесса в производстве полупроводников. Оно указывает на плотность размещения транзисторов на чипе: чем меньше значение, тем выше производительность и ниже энергопотребление.
Сибирский кольцевой источник фотонов (СКИФ) — первый в России и самый мощный в мире источник синхротронного излучения четвертого поколения. Использование рентгеновской литографии позволит формировать сверхминиатюрные структуры с высоким разрешением, что критически важно для производства российских процессоров топ-уровня. Планируется, что в центре искусственного интеллекта будут создаваться цифровые двойники промышленного оборудования для того, чтобы ускорить разработку литографа.
«Совместная работа должна привести к созданию оборудования, которое позволит российской микроэлектронике выйти далеко за предел 28 нанометров. Это критически важный рубеж для третьего перехода в микроэлектронике (первый переход - от видимого к глубокому ультрафиолетовому излучению, второй - к экстремальному ультрафиолетовому излучению)», - подчеркнул Дмитрий Щеглов, один из авторов проекта, научный сотрудник Центра искусственного интеллекта НГУ, заведующий лабораторией Института физики полупроводников СО РАН.
1 минута
Сегодня