CEA-Leti представила технологию 3D-компоновки чипов с шагом 1 мкм
Французский институт CEA-Leti разработал технологию гибридного соединения кристалла с пластиной (D2W) с шагом контактов 1 мкм. Метод прямого медного соединения (Cu-Cu) разработан для ускорителей ИИ и высокопроизводительных чипов, где стандартное уменьшение транзисторов уперлось в физические пределы.
Для достижения шага в 1 мкм инженерам пришлось внедрить сверхточное выравнивание кристаллов и оптимизировать полировку поверхностей при заполнении зазоров. На данном этапе выход годных кристаллов ограничен возможностями станков.
В планы развития проекта заложена интеграция технологии со сквозными кремниевыми (HD TSV) и оксидными (TOV) отверстиями для создания многослойных блоков из разных чиплетов. Следующей целью разработчиков станет освоение шага 0,5 мкм для ИИ-процессоров и матриц камер следующего поколения.
