Добавить в корзинуПозвонить
Найти в Дзене
OVERCLOCKERS.RU

Китайские учёные ускорили рост 2D-чипов в 1000 раз для преодоления предела Мура

Исследователи из Института металлургии Китайской академии наук разработали новый метод производства двумерных полупроводников, который в тысячу раз быстрее традиционных технологий. Работа открывает путь к созданию чипов следующего поколения, когда классический кремний уже почти достиг своего физического предела. Изображение: https://interestingengineering.com Традиционные процессоры подчиняются закону Мура: каждые два года количество транзисторов на кристалле удваивается. Но сегодня размеры транзисторов приближаются к атомным, и начинают сказываться квантовые эффекты, проблемы с отводом тепла и сложности производства. Одно из перспективных решений — это двумерные полупроводники, материалы толщиной в один атом. Однако до сих пор их было трудно производить в промышленных масштабах. Команда под руководством Чжу Мэнцзяня переработала метод химического осаждения из паровой фазы (CVD). Вместо обычной подложки они использовали двухслойную основу из жидкого золота и вольфрама. Это позволило вы

Исследователи из Института металлургии Китайской академии наук разработали новый метод производства двумерных полупроводников, который в тысячу раз быстрее традиционных технологий. Работа открывает путь к созданию чипов следующего поколения, когда классический кремний уже почти достиг своего физического предела.

Изображение: https://interestingengineering.com

Традиционные процессоры подчиняются закону Мура: каждые два года количество транзисторов на кристалле удваивается. Но сегодня размеры транзисторов приближаются к атомным, и начинают сказываться квантовые эффекты, проблемы с отводом тепла и сложности производства. Одно из перспективных решений — это двумерные полупроводники, материалы толщиной в один атом. Однако до сих пор их было трудно производить в промышленных масштабах.

Команда под руководством Чжу Мэнцзяня переработала метод химического осаждения из паровой фазы (CVD). Вместо обычной подложки они использовали двухслойную основу из жидкого золота и вольфрама. Это позволило выращивать монокристаллические домены сублимметрового размера и увеличить скорость роста примерно с 0,00004 дюйма за пять часов до 0,0008 дюйма в минуту. Это в тысячу раз быстрее.

Полученные плёнки монослойного нитрида вольфрам-кремния достигли размеров примерно 3,5 на 1,8 сантиметра. Это важный шаг к масштабируемому производству.

Двумерные полупроводники позволяют создавать транзисторы тоньше, энергоэффективнее и быстрее. Но для современных транзисторных архитектур (КМОП) нужны как n-тип, так и p-тип. Если n-материалы (например, дисульфид молибдена) уже хорошо изучены, то стабильные и производительные p-материалы были слабым местом.

Новый материал представляет собой монослойный нитрид вольфрам-кремния. Он демонстрирует хорошую плотность тока, механическую прочность, эффективное рассеивание тепла и химическую стабильность. Комбинируя его с существующими n-материалами, можно создавать полноценные КМОП-схемы на двумерных полупроводниках.

Читайте далее на сайте

-2

В Китае компания Geely разработала рекордный по скорости зарядки электромобиль Lynk & Co 10

-3

Китайские археологи обнаружили в провинции Хэнань сеть водопроводных каналов возрастом 4000 лет

-4

Китайские ученые ускорили рост 2D-полупроводников в 1000 раз

-5

«Ъ»: В России в марте на 60% выросла аудитория азиатских мессенджеров на фоне блокировки Telegram

Наука
7 млн интересуются