Samsung планирует довести разработку 1-нм техпроцесса до готовности к 2031 году. Корейская Korea Economic Daily пишет, что R&D-график по узлу закроют к 2030-му, а сам производственный процесс хотят вывести на рынок годом позже. Для индустрии это тот самый «dream semiconductor» — узел, к которому все стремятся, но который сложно приземлить в массовое производство. Переход от 2 нм к 1 нм упирается не только в литографию, но и в архитектуру транзистора. По данным Korea Economic Daily, ставку в 1 нм Samsung делает на подход fork sheet. Идея простая по смыслу и сложная по реализации: добавить непроводящую «стенку» между GAA-устройствами. Так компания хочет уплотнить компоновку и разместить больше транзисторов в той же площади кристалла. ❗️ ПОДПИСЫВАЙСЯ НА НАШ КАНАЛ В ДЗЕНЕ И ЧИТАЙ КРУТЫЕ СТАТЬИ БЕСПЛАТНО В тексте это сравнивают с городской застройкой. Раньше между «домами» были «лужайки», а теперь их убирают и ставят больше зданий. В переводе на железо это означает рост плотности без бескон
Samsung нацелилась на 1 нм к 2031 году и готовит fork sheet
30 марта30 мар
2 мин