08 января 2026 года стало известно, что в США впервые освоено производство 300-миллиметровых кремний-карбидных (SiC) пластин, используемых в силовых полупроводниковых компонентах. Это событие стало важным этапом для развития американской микроэлектроники, укрепления цепочек поставок и технологической независимости в стратегически важном сегменте силовой электроники. Карбида кремния — материал, который становится стандартом для силовых устройств, работающих с высокими напряжениями и высокими температурами. В отличие от традиционного кремния, SiC обеспечивает: Эти преимущества делают SiC незаменимым в системах электроприводов, электроэнергетике, производстве электромобилей, зарядной инфраструктуре, а также в промышленной автоматике. Долгие годы отрасль использовала 150-мм и 200-мм пластины SiC, однако их ограниченные размеры увеличивали стоимость производства и снижали доступность компонентов. Освоение 300-мм формата означает: Для США это событие повышает конкурентоспособность на фоне ак
В США освоили производство 300-мм пластин из карбида кремния: важный шаг для силовой электроники и энергетики
13 марта13 мар
8
2 мин