Тайваньский гигант полупроводниковой промышленности планирует полностью свернуть производство чипов на основе нитрида галлия (GaN) к июлю 2027 года. Но почему? Ведь спрос на эти полупроводниковые устройства чрезвычайно высок. Бурное развитие электрических автомобилей и СВЧ радиосвязи стимулировало спрос на полупроводники с широкой запрещённой зоной (энергией, которая необходима, чтобы электрон перепрыгнул из валентной зоны в зону проводимости). У нитрида галлия такая зона в три раза шире, чем у стандартного в производстве чипов монокристаллического кремния. Высокие напряжение пробоя и термическая стабильность обусловили широкое использование GaN микросхем в силовой электронике, особенно в сверхбыстрых зарядных устройствах электромобилей и электронных гаджетов. Более высокая, чем у кремния, подвижность электронов позволяют GaN микросхемам обеспечивать более высокую частоту переключения, что привело к всевозрастающему спросу на такую продукцию со стороны производителей базовых станций мо