Micron официально представила собственный модуль памяти 3ГБ GDDR7 с официальной пропускной способностью 36 Гбит/с, вступая в конкуренцию с Samsung и SK Hynix. — tomshardware.com Компания Micron наконец присоединилась к гонке 3ГБ GDDR7 и официально представила 3ГБ модули, чтобы составить конкуренцию вариантам от Samsung и SK Hynix. Производитель памяти официально анонсировал свою более крупную версию GDDR7 в записи в блоге, сообщив, что её новые 3ГБ микросхемы работают на скорости 36 Гбит/с. Новые модули на 12,5% быстрее первых модулей GDDR7, вышедших на рынок, которые обеспечивали пропускную способность 32 Гбит/с. Однако новые модули Micron заметно медленнее конкурирующих решений от Samsung, которые могут работать на скорости до 42,5 Гбит/с. SK Hynix также имеет в производстве модули GDDR7, которые могут масштабироваться до 40 Гбит/с, и работает над будущими моделями, способными достичь 48 Гбит/с. Впрочем, в пользу Micron тот факт, что ни одна из существующих видеокарт Nvidia не исполь
Micron присоединяется к вечеринке 3 ГБ GDDR7, представляя модули 36 Гбит/с для видеокарт
25 февраля25 фев
16
2 мин