Память HBM получит значительное обновление благодаря стандартам нового поколения HBM5 и HBM6. Компания Hanmi представила первые Wide TC Bonder для их производства. NVIDIA и AMD готовят ИИ-ускорители с HBM4, но работа над HBM5 и HBM6 уже идет. — wccftech.com
Память HBM получит значительное обновление благодаря стандартам нового поколения HBM5 и HBM6, которые уже разрабатываются с использованием новых TC Bonder.
Полупроводниковая компания Hanmi представила первые Wide TC Bonder для памяти нового поколения HBM5 и HBM6
NVIDIA и AMD в этом году выпустят свои ИИ-ускорители нового поколения с памятью HBM4. Среди них — Vera Rubin и серия Instinct MI450. Однако, учитывая темпы развития индустрии ИИ, уже ведется работа над стандартами следующего поколения — HBM5 и HBM6.
Согласно сообщению корейского издания Heraldcorp, первые Wide TC Bonder, которые будут использоваться в производстве стандартов памяти нового поколения, будут представлены на выставке Semicon 2026 в Корее. Wide TC Bonder — это оборудование, которое станет альтернативой Hybrid Bonder (HB) для массового производства памяти HBM.
Интерес к Wide TC Bonder подогревается тем, что оборудование Hybrid Bonder столкнулось с техническими трудностями и его выпуск был отложен. В то же время Wide TC Bonder не только способен повысить выход продукции HBM для существующих и будущих стандартов, таких как HBM4, HBM4E, HBM5 и HBM6, но и обеспечивает улучшенное качество и завершенность за счет применения передовой технологии точного соединения.
Еще одной особенностью Wide TC Bonder является технология безфлюсового соединения (fluxless bonding), которая уменьшает оксидный слой на поверхности чипа без использования флюса, повышая прочность соединения и снижая общую толщину HBM.
HBM5 нацелена на NVIDIA Feynman с выпуском на рынок, запланированным на 2029 год
HBM5, по-видимому, сохранит скорость передачи данных 8 Гбит/с для варианта Non-e, но увеличит количество линий ввода-вывода до 4096 бит. Пропускная способность также возрастет до 4 ТБ/с на стек, а базовой конфигурацией станут 16-Hi стеки. С 40-гигабитными DRAM-чипами HBM5 достигнет емкости 80 ГБ на стек, а энергопотребление на стек ожидается на уровне 100 Вт.
Основные характеристики стандарта памяти HBM5:
- Скорость передачи данных: 8 Гбит/с
- Количество портов ввода-вывода: 4096
- Общая пропускная способность: 4,0 ТБ/с
- Количество стеков чипов: 16-Hi
- Емкость на чип: 40 Гбит
- Емкость на HBM: 80 ГБ
- Энергопотребление на упаковку на HBM: 100 Вт
- Метод упаковки: Microbump (MR-MUF)
- Метод охлаждения: Иммерсионное охлаждение, Thermal Via (TTV), Thermal Bonding
- Выделенный чип конденсатора развязки в стеке
- Пользовательский HBM Base Die с 3D NMC-HBM и стековым кэшем
- LPDDR+CXL в Base Die
- Платформы NVIDIA Feynman и Instinct MI500
HBM6 для архитектуры GPU после Feynman — огромная мощность, огромные емкости, большая пропускная способность
Пропускная способность удвоится до 8 ТБ/с, а емкость DRAM-чипов будет увеличена до 48 Гбит. Еще одним значительным изменением по сравнению с HBM5 является то, что это будет первый случай, когда стекирование HBM превысит 16-Hi и достигнет 20-Hi, увеличив емкость памяти до 96-120 ГБ на стек при энергопотреблении 120 Вт на стек. Ожидается, что как HBM5, так и HBM6 будут использовать решения для иммерсионного охлаждения, причем последняя будет использовать архитектуру многобашенного HBM (активного/гибридного) интерпозера и дополнительные функции, такие как встроенный сетевой коммутатор, Bridge Die и асимметричные TSV на этапе исследований.
Основные характеристики стандарта памяти HBM6:
- Скорость передачи данных: 16 Гбит/с
- Количество портов ввода-вывода: 4096
- Общая пропускная способность: 8,0 ТБ/с
- Количество стеков чипов: 16/20-Hi
- Емкость на чип: 48 Гбит
- Емкость на HBM: 96/120 ГБ
- Энергопотребление на упаковку на HBM: 120 Вт
- Метод упаковки: Прямое соединение Bump-less Cu-Cu
- Метод охлаждения: Иммерсионное охлаждение
- Пользовательские многобашенные HBM
- Активный/гибридный (кремний+стекло) интерпозер
- Сетевой коммутатор + Bridge Die
В настоящее время HBM4 готовится к полномасштабному производству в этом году, и разработка HBM5 и HBM6 также ведется примерно в это же время. Стандарты памяти HBM5 и HBM6 предложат инкрементальное увеличение скорости и технологические обновления по сравнению с HBM4, которая уже будет намного быстрее всего, что мы видели раньше.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Hassan Mujtaba