ТОМСК, 13 января. /ТАСС/. Ученые раскрыли механизм возникновения "эффекта памяти" (сегнетоэлектрического эффекта) в устройствах на основе графеновых нанолент. Это позволит создавать новые нейроморфные устройства для систем искусственного интеллекта (ИИ), сообщили ТАСС в Минобранауки РФ. "Ученые Томского политехнического университета (ТПУ) в составе международной научной коллаборации экспериментально показали, что поведение воды на краях графеновых нанолент может менять их электрические свойства. Результаты работы в будущем могут лечь в основу создания новых видов сенсорных и нейроморфных устройств", - отмечается в сообщении. Благодаря воде у нанолент появляется эффект "памяти" - их состояние можно переключать внешним полем и оставлять в выбранном режиме. Такой принцип лежит в основе мемристоров - элементов нейроморфных процессоров. В отличие от классических процессоров, они умеют вычислять и запоминать информацию одновременно, имитируя работу нейронов мозга. Это позволяет существенно п