Как сообщает издание Korea Economic Daily, Samsung планирует начать тестовую эксплуатацию EUV-оборудования на своём заводе Taylor Plant 1 в Техасе уже в марте текущего года. Этот этап станет подготовкой к массовому выпуску чипов по передовому 2-нм техпроцессу с транзисторами GAA (Gate-All-Around) на американской территории.
Завод в Техасе будет использоваться как площадка для отладки ключевых технологических процессов — установки, травления и осаждения с применением экстремальной ультрафиолетовой литографии. Полноценный запуск серийного производства ожидается во второй половине 2026 года. При этом пока не уточняется, будут ли здесь выпускаться процессоры Exynos 2600, однако известно, что предприятие станет производственной базой для ИИ-чипов Tesla. Речь идёт об однокристальных системах AI5 и AI6, которые Samsung будет изготавливать в рамках заключенного в прошлом году контракта на 16,5 млрд долларов.
Для ускорения ввода завода в эксплуатацию Samsung задействовала около 7 тысяч рабочих. После завершения строительства на объекте будет работать до 1 тысячи сотрудников, размещённых в шестиэтажном производственном комплексе. Компания также готовится получить временное разрешение на эксплуатацию, необходимое для подтверждения соответствия объекта требованиям пожарной безопасности и другим нормативам. По площади участок в Техасе (4,85 млн кв. метров) превосходит крупнейшие корейские фабрики Samsung в Пхёнтхэке и Хвасоне вместе взятые.
Ключевым элементом стратегии Samsung остаётся закупка EUV-установок ASML — каждая из них обходится примерно в 500 млрд вон (около 339 млн долларов). Эти инвестиции критически важны, поскольку выход годной продукции, выпускаемой по техпроцессу 2 нм, на данном этапе оценивается в 50%. Повышение показателей необходимо для достижения рентабельности полупроводникового подразделения к 2027 году, особенно на фоне убытков в размере 680 млн долларов, зафиксированных в третьем и четвёртом кварталах 2025 года.
В перспективе Samsung планирует построить на техасской площадке до десяти заводов. Ранее предполагалось, что предприятие будет ориентировано на 4-нм техпроцесс, однако отказ TSMC от переноса передовых технологий в США открыл для Samsung стратегическое окно возможностей. Начальная цель — выпуск до 50 тысяч кремниевых пластин.