Найти в Дзене

ФОТОАКТИВНЫЕ ЭЛЕКТРОДНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ ТЕМПЛАТНЫМ МЕТОДОМ. ЧАСТЬ 1 - СИНТЕЗ.

Электрохимический темплатный метод применительно к синтезу электрокатализаторов был разобран на нашем канале ранее. В первой части этой публикации мы рассмотрим синтез нескольких фотоанодных материалов для процесса разложения воды. Классическими фотоактивными материалами являются оксиды таких переходных и постпереходных (легких) металлов, как титан, молибден, цинк, кадмий и олово, индий и висмут. Нами была сделана попытка синтезировать микротрубки оксида цинка и оксида висмута, а также оксида соосажденной системы цинк-висмут (1:1) с использованием углеродного фетра в качестве темплата. Для электроосаждения был использован аммиачно-цитратный электролит с корректировкой рН до 6.5. Начиная с этого значения рН осадок равномерно покрывает поверхность субстрата (Рисунок 1). При рН 4.5, 5.5 и 7.5 наблюдается неравномерное покрытие с дендритами, что отчасти вызвано устойчивостью соответствующих комплексов металлов. Процесс проводили при небольшой плотности тока (5 мА/см2) в течение 2 часов. В

Электрохимический темплатный метод применительно к синтезу электрокатализаторов был разобран на нашем канале ранее. В первой части этой публикации мы рассмотрим синтез нескольких фотоанодных материалов для процесса разложения воды.

Классическими фотоактивными материалами являются оксиды таких переходных и постпереходных (легких) металлов, как титан, молибден, цинк, кадмий и олово, индий и висмут. Нами была сделана попытка синтезировать микротрубки оксида цинка и оксида висмута, а также оксида соосажденной системы цинк-висмут (1:1) с использованием углеродного фетра в качестве темплата. Для электроосаждения был использован аммиачно-цитратный электролит с корректировкой рН до 6.5.

Начиная с этого значения рН осадок равномерно покрывает поверхность субстрата (Рисунок 1). При рН 4.5, 5.5 и 7.5 наблюдается неравномерное покрытие с дендритами, что отчасти вызвано устойчивостью соответствующих комплексов металлов.

Рисунок 1 – Покрытие висмута на углеродном фетре при различных значениях рН (увеличение 125х)
Рисунок 1 – Покрытие висмута на углеродном фетре при различных значениях рН (увеличение 125х)

Процесс проводили при небольшой плотности тока (5 мА/см2) в течение 2 часов. В качестве нерастворимых анодов использовалась сетка из нержавеющей стали AISI 304. Предварительно субстрат обрабатывали в спирту с использованием ультразвуковой ванны для улучшения смачиваемости электролитом, а также дегазации пористой структуры углеродного фетра. Пост обработка заключалась в двухступенчатой промывке (теплой и комнатной температуры) с последующей сушкой при 100С в течение 1 часа.

На Рисунках 2-4 представлены фотографии покрытий, полученные на оптическом микроскопе при увеличении 125х. Как можно отметить покрытия висмута и цинка гладкие, плотные и равномерные, соосаждение двух металлов приводит к губчатым и дендритным осадкам.

Рисунок 2 – Покрытие висмута на углеродном фетре
Рисунок 2 – Покрытие висмута на углеродном фетре
Рисунок 3 – Покрытие цинка на углеродном фетре
Рисунок 3 – Покрытие цинка на углеродном фетре
Рисунок 4 – Покрытие цинк-висмут на углеродном фетре
Рисунок 4 – Покрытие цинк-висмут на углеродном фетре

Отжиг композитов проводили при температуре 500С в течение 4 часов с предварительным нарастанием температуры 10С/мин. На фотографиях оптической микроскопии (Рисунки 5-7) видно образование оксидных микротрубок. В случае висмут-содержащих систем наблюдается образование шариков металлического висмута за счет частичного восстановления оксида висмута оксидом углерода (СО), выделяющимся при отжиге. (Рисунок 8)

Рисунок 5 – Микротрубки оксида висмута (увеличение 125х)
Рисунок 5 – Микротрубки оксида висмута (увеличение 125х)
Рисунок 6 – Микротрубки оксида цинка (увеличение 125х)
Рисунок 6 – Микротрубки оксида цинка (увеличение 125х)
Рисунок 7 – Микротрубки оксидов цинка-висмута (увеличение 125х)
Рисунок 7 – Микротрубки оксидов цинка-висмута (увеличение 125х)
Рисунок 8 – Микрошарики висмута (увеличение 250х)
Рисунок 8 – Микрошарики висмута (увеличение 250х)

На этом описание синтетической часть работы подходит к концу. Фотоэлектрохимические свойства полученных материалов мы рассмотрим во второй части этой статьи.

Спасибо, что дочитали. Ставьте лайки, комментируйте и подписывайтесь на каналы в Telegram и Дзене.