На предстоящей Международной конференции по твердотельным схемам (ISSCC) альянс Kioxia и SanDisk (в составе Western Digital) представит прорывную технологию 3D NAND нового поколения. Анонсированные чипы BiCS10 в архитектуре QLC (4 бита на ячейку) демонстрируют беспрецедентную плотность записи — 37,6 Гбит на квадратный миллиметр, что приблизительно равно 4,7 ГБ в площади булавочной головки.
Ключевые характеристики инновации:
Уровни интеграции: 332 активных слоя, что является значительным шагом вперед по сравнению с текущим поколением BiCS8 (218 слоев).
Вместимость: До 8 ТБ на одном кристалле, что открывает путь к созданию накопителей экстремального объема в компактных форм-факторах.
Производительность: Скорость последовательной записи для QLC-архитектуры превышает 85 МБ/с, устанавливая новый баланс между емкостью и быстродействием.
Этот прорыв стал результатом стратегической эволюции. Текущее поколение BiCS8 (TLC), несмотря на меньшее количество слоев, уже лидирует на рынке по плотности и является основой для самых скоростных потребительских SSD, таких как WD_Black SN8100 и Corsair MP700 Pro XT. Успех BiCS8 заложил технологический фундамент для скачка к 332 слоям в BiCS10.
Конкурентная гонка за лидерство в NAND-памяти
Анонс BiCS10 знаменует новый этап в глобальном соперничестве производителей памяти. Целью альянса Kioxia-SanDisk является прямой вызов ожидаемому решению от Samsung — многослойной памяти V-NAND V10 с более чем 400 активными слоями.
Однако конкурентная борьба разворачивается по двум ключевым направлениям:
1. Плотность (Kioxia/SanDisk): Фокус на максимальное количество данных в минимальном физическом объеме (37,6 Гбит/мм²).
2. Скорость интерфейса (Samsung): Компания Samsung заявляет о подготовке к переходу на пропускную способность интерфейса 5,6 ГТ/с в своем перспективном решении V10 TLC, что потенциально может дать преимущество в производительности высококлассных накопителей.
Таким образом, индустрия стоит на пороге нового витка развития: в то время как Kioxia и SanDisk бьют рекорды по плотности упаковки данных, Samsung концентрируется на скорости их передачи. Исход этого технологического противостояния определит архитектуру высокоемких и высокопроизводительных систем хранения данных следующего поколения — от дата-центров до потребительских устройств.