Бельгийский исследовательский центр IMEC запускает совместную программу по развитию силовой электроники на нитриде галлия. В партнёрах — AIXTRON, GlobalFoundries, KLA, Synopsys и Veeco. Цель — вывести производство GaN-пластин на 300 мм. Такой формат подложек позволит снизить цену GaN-зарядок и других компонентов питания. Технология может дойти и до микросхем управления питанием в CPU и GPU — там, где важна компактность и высокая эффективность. В IMEC уже готов набор масок и начато выращивание эпитаксиальных слоёв. Дальше — тесты низко- и высоковольтных HEMT-транзисторов. Первую полноценную 300-миллиметровую GaN-пластину обещают показать к концу 2025 года.
Бельгийский исследовательский центр IMEC запускает совместную программу по развитию силовой электроники на нитриде галлия. В партнёрах — AIXTRON, GlobalFoundries, KLA, Synopsys и Veeco. Цель — вывести производство GaN-пластин на 300 мм.
Такой формат подложек позволит снизить цену GaN-зарядок и других компонентов питания. Технология может дойти и до микросхем управления питанием в CPU и GPU — там, где важна компактность и высокая эффективность.
В IMEC уже готов набор масок и начато выращивание эпитаксиальных слоёв. Дальше — тесты низко- и высоковольтных HEMT-транзисторов. Первую полноценную 300-миллиметровую GaN-пластину обещают показать к концу 2025 года.
