В России готовят проект по созданию собственных литографических установок для производства микросхем. Институт физики микроструктур РАН представил дорожную карту, согласно которой первые машины должны появиться уже в ближайшие годы.
Проект разделён на три этапа. На первом, в 2026–2028 годах, планируется создание машины для 40-нанометрового техпроцесса с производительностью свыше пяти пластин в час. К 2029–2032 годам должны появиться установки для выпуска чипов по 14 нм со скоростью более 50 пластин в час. На заключительном этапе, до 2036 года, стоит задача выйти на уровень менее 10 нм и производительность свыше 100 пластин в час.
В отличие от голландских установок ASML, российские литографы будут строиться на других принципах. В них предполагается применять гибридные твердотельные лазеры, ксеноновую плазму вместо олова и специальные зеркала из рутения и бериллия. Такой подход должен снизить затраты на обслуживание и упростить конструкцию, а также исключить необходимость использования сложных иммерсионных технологий.
На каждом шаге разработчики намерены улучшать оптическую систему и увеличивать эффективность сканирования. При этом предполагается, что итоговая стоимость выпуска чипов будет ниже, чем у конкурирующих решений ASML серии Twinscan NXE и EXE.