SK Hynix стала одной из первых компаний в отрасли, кто внедрил оборудование High-NA EUV TWINSCAN EXE:5200B от ASML на заводе M16 в Ичхоне. Это позволяет производить транзисторы в 1,7 раза меньше и повышать плотность их размещения почти в три раза по сравнению с предыдущими системами. Числовая апертура выросла с 0,33 до 0,55. Технология ускоряет разработку DRAM нового поколения и повышает конкурентоспособность продукции SK Hynix. Компания уже является поставщиком памяти для NVIDIA и AMD и теперь обходит Samsung по уровню внедрения передовых решений. Внедрение High-NA EUV открывает путь к расширению числа EUV-слоёв до шести и созданию более плотной и производительной памяти.
SK Hynix стала одной из первых компаний в отрасли, кто внедрил оборудование High-NA EUV TWINSCAN EXE:5200B от ASML на заводе M16 в Ичхоне. Это позволяет производить транзисторы в 1,7 раза меньше и повышать плотность их размещения почти в три раза по сравнению с предыдущими системами. Числовая апертура выросла с 0,33 до 0,55.
Технология ускоряет разработку DRAM нового поколения и повышает конкурентоспособность продукции SK Hynix. Компания уже является поставщиком памяти для NVIDIA и AMD и теперь обходит Samsung по уровню внедрения передовых решений. Внедрение High-NA EUV открывает путь к расширению числа EUV-слоёв до шести и созданию более плотной и производительной памяти.
