Компания SK hynix сообщила о начале поставок нового поколения мобильной памяти DRAM, разработанной для снижения перегрева в смартфонах. Производитель утверждает, что теплопроводность чипов увеличена на 350%, что должно решить проблему падения производительности при высоких нагрузках.
В основе новинки используется материал под названием High-K Epoxy Molding Compound. Благодаря этому изменению тепловое сопротивление в вертикальном направлении уменьшилось на 47%. Такая доработка особенно важна для современных смартфонов, где чипы памяти часто располагаются поверх процессора. При интенсивной работе эта конструкция приводит к накоплению тепла и ухудшению скорости работы устройства.
Решение SK hynix должно повлиять не только на стабильность смартфонов, но и на продолжительность работы аккумулятора. Более эффективный отвод тепла снизит риск перегрева и позволит устройствам дольше сохранять заявленные характеристики.
Компания пояснила, что добилась улучшения теплопроводности за счет добавления оксида алюминия к оксиду кремния, применяемому в составе компаунда. Такое сочетание позволяет эффективнее распределять тепло внутри смартфона.