Система High Numerical Aperture (NA) Extreme Ultraviolet (EUV) обеспечивает числовую апертуру 0,55, что на 40% превышает предыдущий стандарт в 0,33. Это улучшение позволяет литографическому инструменту достигать разрешения 8 нм и изготавливать транзисторы в 1,7 раза меньше, чем на традиционных системах Low-NA EUV. В результате оборудование позволяет увеличить плотность транзисторов до 2,9 раза за один экспонированный цикл, что значительно упрощает этапы литографии, необходимые в производстве полупроводников.
В краткосрочной перспективе SK hynix будет использовать Twinscan NXE:5200B в качестве платформы разработки для технологических процессов, которые по-прежнему основаны на инструментах для EUV с низкой числовой апертурой (Low-NA) и Deep Ultraviolet (DUV). Со временем, компания переведет систему на разработку и, в конечном итоге, на массовое производство DRAM с использованием эксклюзивных технологических узлов для EUV с высокой числовой апертурой (High-NA). Предыдущие системы EUV с высокой числовой апертурой (HNA), такие как NXE:5000, использовались преимущественно в научно-исследовательских и опытно-конструкторских центрах.
Литография в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне является сложной технологией, которая обеспечивает более тонкую структуру полупроводников. Она увеличивает количество кристаллов, производимых на одной пластине, а также повышает энергоэффективность и общую производительность. Компания SK hynix впервые применила технологию EUV для производства памяти DRAM в 2021 году. В ASML прогнозируют, что широкое внедрение инструментов High-NA EUV для производства памяти DRAM развернется по полной в следующем десятилетии.
📃 Читайте далее на сайте
Goldman Sachs: китайская литографическая индустрия отстаёт от западных технологий минимум на 20 лет
США ограничили поставки оборудования для китайских заводов Samsung и SK Hynix
SK Hynix получила полный контроль над бывшей фабрикой Intel в китайском Даляне
XFX: Карты Radeon RX 9060 XT с памятью Samsung на 10°C холоднее, чем с чипами Hynix
SK hynix начала поставки мобильной DRAM с улучшенной системой теплоотвода