SK Hynix собирается увеличить число слоёв EUV в производстве своей памяти DRAM 1c (6-е поколение, 10 нм) до пяти и более. Раньше в этой технологии применяли всего один или четыре слоя, а теперь компания делает ставку на более тонкие и точные схемы, чтобы улучшить качество чипов и снизить затраты на производство. Вложения в эту технологию стартуют уже во второй половине года.
Помимо этого, SK Hynix готовится к переходу на EUV с высокой числовой апертурой — это позволит выпускать ещё более мелкие и точные структуры, но с новым уровнем технических сложностей. Например, чтобы избежать проблем с отражением и падением света на фотолитографических масках, используют специальную анаморфотную технологию, которая регулирует направление света и уменьшает количество ошибок.
