На фоне ограничений со стороны США Китай продолжает наращивать усилия по развитию собственного оборудования для производства полупроводников. Компания Pulin Technology впервые поставила заказчику установку PL-SR для наноимпринтной литографии (NIL) — технологии, которую рассматривают как возможную замену или дополнение к традиционной EUV (фотолитографии в глубоком ультрафиолете).
Система PL-SR построена по схеме step-and-repeat и рассчитана на техпроцессы ниже 10 нм и, по словам разработчиков, по ряду параметров сопоставима с NIL-решением Canon, которое появилось в США в прошлом году. Китайская установка поддерживает работу с 12-дюймовыми пластинами, подходит для производства памяти, фотоники, упаковки и дисплеев, а точность совмещения слоёв составляет менее 2 нм. Это делает технологию потенциально пригодной для массового выпуска продвинутых микросхем.
Хотя NIL проще, добиться высокой точности и стабильности — задача не менее сложная, чем в EUV. Pulin Technology утверждает, что добилась стабильной толщины остаточного слоя менее 10 нм и продвигается к точности совмещения в пределах 1 нм. В компании подчёркивают, что для масштабирования производства необходимо развивать локальную цепочку поставок, включая оборудование, материалы и ПО. Уже сегодня в проект вовлечены сотни исследовательских центров и компаний.
Сама технология NIL не нова: над ней также работают Canon и другие компании. При этом поставка установки Pulin клиенту считается первой коммерческой реализацией такого оборудования китайской разработки. Это может стать важным шагом для Поднебесной в борьбе за технологическую независимость.