Найти в Дзене
Константин Двинский

"Элемент" анонсировал расширение своих компетенций в области силовой электроники

Отличные новости. На данную цель группа компаний "Элемент" направит инвестиции в объеме 4,4 млрд рублей. Речь идет о запуске кристального производства силовых транзисторов на нитриде галлия (GaN) на базе НИИЭТ в Воронеже — одного из ключевых активов группы. Реализация проекта позволит создать первое в России производство GaN-компонентов полного цикла: от выращивания кристаллов до сборки конечных приборов. Нитрид галлия — перспективный полупроводниковый материал, обладающий рядом преимуществ по сравнению с традиционным кремнием. GaN-транзисторы способны работать при температурах свыше 200 °C, на частотах выше 6 ГГц, с высокой плотностью мощности и КПД. Эти свойства критичны для ряда направлений — от телеком-оборудования (усилители сигнала, СВЧ-модули) до серверных и промышленных блоков питания. Переход с кремниевых решений на GaN дает кратный прирост энергоэффективности и позволяет сократить габариты конечных устройств. Проектная мощность новой линии — 5,5 тыс. пластин в пересчете на 20

Отличные новости. На данную цель группа компаний "Элемент" направит инвестиции в объеме 4,4 млрд рублей. Речь идет о запуске кристального производства силовых транзисторов на нитриде галлия (GaN) на базе НИИЭТ в Воронеже — одного из ключевых активов группы. Реализация проекта позволит создать первое в России производство GaN-компонентов полного цикла: от выращивания кристаллов до сборки конечных приборов.

Нитрид галлия — перспективный полупроводниковый материал, обладающий рядом преимуществ по сравнению с традиционным кремнием. GaN-транзисторы способны работать при температурах свыше 200 °C, на частотах выше 6 ГГц, с высокой плотностью мощности и КПД. Эти свойства критичны для ряда направлений — от телеком-оборудования (усилители сигнала, СВЧ-модули) до серверных и промышленных блоков питания. Переход с кремниевых решений на GaN дает кратный прирост энергоэффективности и позволяет сократить габариты конечных устройств.

Проектная мощность новой линии — 5,5 тыс. пластин в пересчете на 200 мм в год. Для сравнения, это сопоставимо с уровнем небольших специализированных foundry в Европе, работающих на нишевые сегменты. Производство будет интегрировано в уже действующую цепочку по сборке и тестированию GaN-приборов в НИИЭТ, что ускоряет ввод в строй и снижает риски по логистике и квалификации персонала.

Финансирование осуществляется с участием Фонда развития промышленности по линии кластерной инвестиционной платформы (КИП), что указывает на стратегический характер проекта с точки зрения технологического суверенитета. У НИИЭТ уже есть опыт серийного выпуска GaN-приборов, что позволяет использовать существующие наработки и инфраструктуру для перехода к кристальному этапу.

Сумма инвестиций — 4,4 млрд рублей — соответствует уровню вложений в сопоставимые проекты за рубежом (около $45 млн), особенно если учесть наличие готовой площадки и инженерных мощностей. Таким образом, Россия делает первый шаг к замыканию технологической цепочки в одном из самых динамичных сегментов современной силовой электроники. Но таких предприятий должно быть больше. Не одно, а полтора десятка минимум.

Не забываем ставить лайк :)
Подписывайтесь, чтобы ничего не пропустить!