Отличные новости. На данную цель группа компаний "Элемент" направит инвестиции в объеме 4,4 млрд рублей. Речь идет о запуске кристального производства силовых транзисторов на нитриде галлия (GaN) на базе НИИЭТ в Воронеже — одного из ключевых активов группы. Реализация проекта позволит создать первое в России производство GaN-компонентов полного цикла: от выращивания кристаллов до сборки конечных приборов. Нитрид галлия — перспективный полупроводниковый материал, обладающий рядом преимуществ по сравнению с традиционным кремнием. GaN-транзисторы способны работать при температурах свыше 200 °C, на частотах выше 6 ГГц, с высокой плотностью мощности и КПД. Эти свойства критичны для ряда направлений — от телеком-оборудования (усилители сигнала, СВЧ-модули) до серверных и промышленных блоков питания. Переход с кремниевых решений на GaN дает кратный прирост энергоэффективности и позволяет сократить габариты конечных устройств. Проектная мощность новой линии — 5,5 тыс. пластин в пересчете на 20
"Элемент" анонсировал расширение своих компетенций в области силовой электроники
20 июля 202520 июл 2025
1724
1 мин