В Воронеже появится первое в России кристальное производство GaN-транзисторов
ПАО «Элемент» объявило о начале масштабного инвестиционного проекта в Воронежской области. Компания направит 4,4 млрд рублей на создание кристального производства силовых транзисторов на нитриде галлия (GaN) на базе НИИ электронной техники (НИИЭТ).
Производство планируется запустить к 2028 году, а через два года вывести на проектную мощность — 5,5 тыс. 200-мм пластин в год.
Новые транзисторы будут использоваться для собственных нужд группы — их применят в модулях усиления радиосигнала, в блоках питания базовых станций, а также в современных серверных решениях.
НИИЭТ уже обладает опытом в серийном выпуске GaN-силовых приборов и сборке СВЧ- и переключающих транзисторов. Реализация проекта позволит создать первое в России производство нитрид-галлиевых транзисторов полного цикла.
Инвестиции в размере 4,4 млрд рублей выделяются с применением механизмов кластерной инвестиционной платформы (КИП) Фонда развития промышленности (ФРП).
Сумма льготного кредита по КИП может составлять до 80% стоимости инвестпроекта.
Расширение производства НИИЭТ происходит в рамках масштабной инвестпрограммы «Элемента» объемом 92 млрд рублей, финансирование которой уже обеспечено на 90%.
Ключевая цель — развитие российского производства электронной компонентной базы, радиоэлектронного оборудования и материалов.
Группа «Элемент» основана в 2019 году при участии АФК «Система» и «Ростех». Сейчас объединяет около 30 предприятий микроэлектроники: в том числе завод «Микрон», НИИ молекулярной электроники (НИИМЭ), НИИЭТ и другие.