Исследователи из СПбГУ представили микрорезонатор с беспрецедентным для Европы уровнем добротности в 54 тысячи единиц. В основе устройства лежат тонкослойные структуры из арсенида галлия и арсенида алюминия, что делает его перспективным для применения в квантовых технологиях и оптических системах.
Совместная работа ученых Научного парка университета и лаборатории оптики спина имени Уральцева привела к созданию инновационной полупроводниковой конструкции. Технология выращивания кристаллов GaAs с последующим размещением в зеркальной системе позволила достичь выдающихся результатов.
Разработка относится к передовому направлению поляритоники, изучающему взаимодействие световых волн с материей. Образующиеся в устройстве поляритоны обладают особыми квантовыми характеристиками, что делает их ценными для производства оптических чипов и телекоммуникационного оборудования.
Главным прорывом стало достижение рекордного значения добротности, определяющего способность системы сохранять световую энергию. Данный параметр имеет решающее значение для квантовых вычислений, требующих стабильного удержания фотонов. Дополнительным преимуществом технологии стала возможность создания экономичных поляритонных лазеров.
Эксперты отмечают возрастающую потребность в оптических решениях для обработки информации. Новое изобретение создает фундамент для производства сверхчувствительных датчиков, энергосберегающих источников света и вычислительных систем будущего.