Испытала GaN-транзисторы ТНГ-К 65020П на возможность применения в силовых каскадах источников вторичного питания московская компания «Инженерные решения».
Фото: «НИИЭТ».
Выполненные исследования и полученные результаты позволяют предприятиям исключить дорогостоящий этап выполнения научно-исследовательских работ по анализу возможности и перспектив применения транзисторов на основе нитрида галлия (GaN) и сразу приступить к реализации опытно-конструкторских работ по разработке целевой аппаратуры на базе этих изделий.
Испытания подтвердили возможность применения изделий АО «НИИЭТ» в силовой преобразовательной технике при использовании с запасом по току стока и напряжению сток-исток. Кроме того, были сформулированы рекомендации по схемотехническим решениям.
Второе испытание прошло в лаборатории преобразовательной техники кафедры электроники факультета радиотехники и электроники Новосибирского государственного технического университета с целью исследования динамики работы GaN-транзистора.
Независимые эксперты в области силовой электроники подтвердили данными испытаниями заявленные АО «НИИЭТ» характеристики транзисторов и возможность реализации на их основе электронных модулей и блоков с характеристиками, превосходящими возможности традиционных кремниевых транзисторов.
Силовые транзисторы на основе технологии нитрида галлия серии ТНГ-КВ разработаны АО «НИИЭТ» для работы в ключевом режиме. Изделия обладают быстрым и контролируемым временем спада и нарастания. Спектр применения данных транзисторов очень широк. Они будут оптимальны в зарядных устройствах для различных гаджетов и электромобилей, системах управления электродвигателями, системах преобразования электрической энергии для альтернативных источников, системах питания беспроводных устройств и космических аппаратов, робототехнике и даже в медицинских изделиях.
На предприятии работы в области GaN-технологии ведутся уже более 10 лет.
По словам разработчиков, нитрид галлия отличается от кремния повышенной подвижностью электронов и увеличенной электрической прочностью. Это означает, что при одинаковых значениях сопротивления и пробивного напряжения GaN-транзистор имеет меньшие размеры и меньшие межэлектродные емкости по сравнению с кремниевым аналогом.
Это обеспечивает вдвое выше удельные токи и на два порядка большие рабочие частоты GaN-транзисторов по сравнению с кремниевыми приборами.
Нитрид-галлиевая (GaN) технология внесена в ключевое направление «Научно-техническое развитие» Стратегии развития электронной промышленности Российской Федерации на период до 2030 года.