Учёные из Российского технологического университета МИРЭА создали новый полевой транзистор на основе алмаза, информирует пресс-служба Минобрнауки РФ. По замыслу разработчиков, этот транзистор, который регулирует электрический ток через полупроводник с помощью электрического сигнала, будет востребован в ядерной энергетике и космической отрасли.
«Новое устройство использует кристаллографически совершенный алмазный слой толщиной менее 1 микрона, созданный методом термохимической обработки. Эта технология позволяет устранить дефекты поверхности, что значительно улучшает электрофизические характеристики», - отметили в пресс-службе.
Заведующий лабораторией «Алмазная СВЧ-электроника» Андрей Алтухов заявил, что транзистор сможет продемонстрировать на 10-15% лучшую производительность по сравнению с существующими аналогами: «Ключевое преимущество - сочетание высокой термостойкости, радиационной устойчивости и энергоэффективности».
Такие алмазные транзисторы могут быть использованы в системах связи нового поколения, радиолокационных комплексах, медицинских устройствах и промышленной электронике. Разработка особенно ценна для работы в суровых условиях, таких как космос или ядерная энергетика, где традиционные кремниевые транзисторы быстро изнашиваются и теряют работоспособность.