Китайские учёные разработали флеш-память нового типа на основе графена, которая стала самой быстрой в мире. Устройство, названное PoX, способно записывать данные всего за 400 пикосекунд (невообразимо малая доля секунды) и может выполнять 25 миллиардов операций в секунду – это в 100 тысяч раз быстрее предыдущего рекорда для подобных технологий.
Здесь стоит напомнить о базовых вещах. Сейчас существует два основных типа памяти. Первый – очень быстрый, как оперативная память (RAM) в компьютерах, но он «забывает» всё, как только выключается питание. Другой тип – это флеш-память (как в USB-флешках или SSD-дисках), она хранит данные постоянно, но работает намного медленнее. Особенно остро нехватка скорости чувствуется в таких задачах, как работа искусственного интеллекта (ИИ), которому нужно обрабатывать гигантские объёмы информации.
Исследователи из Фуданьского университета в Шанхае решили эту проблему, использовав вместо обычного кремния новый материал – графен. Благодаря его уникальным свойствам им удалось заставить электрический заряд перемещаться в ячейки памяти практически мгновенно. Это позволило преодолеть главное ограничение скорости, которое существовало у флеш-памяти десятилетиями. По словам разработчиков, разница огромна: за время моргания глазом новое устройство успевает выполнить миллиард операций, тогда как обычный USB-накопитель — только тысячу.
Такая скорость открывает большие возможности. Компьютеры и гаджеты смогут работать заметно быстрее. Но особенно важна эта разработка для искусственного интеллекта. Сверхбыстрая память позволит ИИ-системам обрабатывать огромные потоки данных в реальном времени, при этом потребляя меньше энергии.