Высокая производительность предстоящего чипа Snapdragon 8 Elite может ему навредить: новая утечка показала значительный перегрев даже базовой версии SoC в обычном режиме работы.
Согласно результатам теста, начальная версия Snapdragon 8 Elite имеет базовую частоту 2,78 ГГц, которая в режиме Boost достигает 4,09 ГГц. При этом чип потребляет более 20 Вт мощности и достигает температуры 98,5 °C даже в обычном режиме. Источник добавляет, что снизить энергопотребление и температуру не удавалось никакими способами.
Для сравнения, две разогнанные версии SoC для Galaxy S25 достигают показателей 2,90/4,19 ГГц и 3,53/4,47 ГГц соответственно, что считается уже серьёзным результатом для мобильного устройства.
Отмечается, что в тестировании могли участвовать инженерные версии чипов. Также все замеры проводились примерно три месяца назад, и есть вероятность, что за это время Qualcomm поработала над их оптимизацией.
