Накануне SK hynix сообщила о запуске массового выпуске первого 12-слойного продукта HBM3E с объемом в 36 ГБ. Это наибольшая емкость среди всех имеющихся HBM на данный момент. В течение года компания намерена начать поставки серийных изделий, вновь подтверждая свои передовые технологии всего через полгода после начала поставок 8-слойного HBM3E, который стал первым в индустрии.
SK hynix является единственной фирмой, которая создала и реализует полный ассортимент HBM, начиная с первого поколения (HBM1) и заканчивая пятой генерацией (HBM3E). Компания намерена удержать лидирующее место в области памяти для искусственного интеллекта, реагируя на растущий спрос со стороны фирм, связанных с ИИ.
По информации компании, 12-слойный HBM3E отвечает высочайшим мировым стандартам по таким критически важным параметрам, как скорость, емкость и надежность. SK hynix увеличила скорость памяти до 9,6 Гбит/с. На сегодня это наилучший показатель. Например, Llama 3 70B, большой языковой модели (LLM), может считывать 70 миллиардов параметров 35 раз в секунду при использовании одного графического процессора и четырех HBM3E.
SK hynix увеличила емкость своей продукции на 50%, разместив 12 слоев чипов DRAM объемом 3 ГБ, при этом сохранив ту же толщину, что и у предыдущего восьмислойного варианта. Чтобы достичь этого результата, фирма уменьшила толщину каждого чипа DRAM на 40% и использовала вертикальную укладку с применением технологии TSV. Кроме того, были решены структурные проблемы, возникающие при размещении более тонких чипов, благодаря внедрению ключевой технологии — процесса Advanced MR-MUF.
Этот подход даёт возможность достичь на 10% более высокой теплоотдачи, а также улучшить стабильность и надежность изделия за счет более эффективного контроля над его деформацией.
