Группа исследователей из Университета штата Пенсильвания объявила о значительном прорыве в области защиты электроники от коррозии. В своей недавней публикации в журнале *Nature Communications* учёные представили новый метод синтеза покрытия на основе аморфного нитрида бора (a-BN), который не только защищает электронные компоненты от ржавчины, но и значительно улучшает их производительность.
Современные электронные устройства, особенно те, которые используют двумерные полупроводниковые материалы, сталкиваются с серьёзной проблемой коррозии. Эти материалы, такие как дисульфид молибдена, имеют атомно-тонкую структуру и очень чувствительны к внешним воздействиям. Традиционные методы защиты, включая оксидные покрытия, часто оказываются неэффективными, так как они могут использовать воду в процессе нанесения, что лишь усугубляет проблему окисления.
Под руководством профессора Джошуа Робинсона команда исследователей разработала инновационный метод, который позволяет применять a-BN в качестве защитного слоя. Этот материал известен своей высокой термической стабильностью и отличными электроизоляционными свойствами, что делает его идеальным кандидатом для использования в полупроводниках.
Использование нового покрытия привело к значительному улучшению производительности транзисторов — на уровне от 30% до 100% в зависимости от конкретного применения.
Процесс синтеза включает выращивание дисульфида молибдена на сапфировой подложке с использованием эпитаксии — технологии, которая позволяет точно контролировать структуру и ориентацию материала. После этого добавляются изолирующие слои a-BN, что обеспечивает надежную защиту от коррозии.
«Наше исследование открывает новые горизонты для разработки следующего поколения электронных устройств», — отметил профессор Робинсон. «Мы уверены, что это решение поможет преодолеть одну из самых больших проблем в области электроники и приведет к созданию более устойчивых и эффективных технологий».