В Институте ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН в рамках проекта по созданию молодежных лабораторий Министерства науки и высшего образования РФ организована лаборатория имплантерных ионных источников. Программа лаборатории включает в себя решение различных фундаментальных задач: изучение взаимодействия ионного пучка с материалами, получение ионных пучков с ультрамалым эмиттансом и вопросы их транспортировки в электродинамических системах. Результаты научных исследований могут быть использованы в развитии микроэлектронной промышленности России. Метод ионной имплантации основан на внедрении в твердое тело, например в пластину полупроводника, ионизированных атомов и молекул с наперед заданной энергией. Последние тридцать лет микроэлектронная промышленность всего мира развивается именно благодаря имплантерным технологиям. Установки для реализации подобной технологии называются «ионные имплантеры», важным элементом которых являются ионные источники — именно в них происходит формирование
В Новосибирском Академгородке создана лаборатория имплантерных ионных источников
4 октября 20244 окт 2024
18
3 мин